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多发性硬化症-T4全谱直读光谱仪是我公司研制的新型光谱仪 微尺寸。采用国际标准设计和制造技术，采用日本滨松最先进的CMOS信号采集元件。每个 CMOS 都可以单独设置。火花数量与国际光谱仪一流技术同步，采用充氩光室设计和全数字激发光源。该CMOS光谱仪不仅包含CCD光谱仪的全光谱特性，还具有PMT光谱仪对非金属元素极低的检出限。整机设计合理，操作简单易学，凸显了仪器使用的稳定性、方便性、快捷性。主要性能指标达到国内外同类产品的先进水平，为冶金、铸造、机械加工制造行业的产品质量控制提供了可靠的保证。
产品特点
●激发室的特殊设计，使样品室/激发室的清洁更加方便；
●优化的氩气气路设计，保证激发台的有效冷却，激发过程中产生的金属粉尘有效进入过滤器；使样品激发更加稳定，大大减少人体对金属粉尘的摄入量，有利于保护操作人员的健康安全；
●易于使用的样品夹具；
●具有电极自清洗功能，电极使用寿命更长，更容易清洁电极；
●12mm激发孔径更有利于样品分析；
●开放式样品激发台，可适应各种尺寸、更多形状的样品分析；
●镜片部分的结构设计使镜片拆卸和擦拭更加方便，氩气冲洗设计可以延长镜片清洁周期。
●高性能DSP处理器，具有超高速数据采集和控制功能;
●单火花采集和光谱延迟采集，实现更优化的元素含量测量;
●外部计算机（用户选择）;
●高速以太网数据传输.
| 数量： | |
|---|---|
MS-T4
Mikrosize
90273000.00
产品描述
分析矩阵 | 铁基、铝基、铜基、镍基 |
光学系统 | Pa型-长罗兰圆全光谱光学系统 |
波长范围 | 140~680nm |
焦距 | 401毫米 |
探测器 | 高性能CMOS阵列（国内领先检测技术） |
光源类型 | 数字光源、高能预燃技术（HEPS） |
放电频率 | 100-1000赫兹 |
放电电流 | 最大限度 400A |
电源 | AC220V 50/60Hz 1000W |
分析时间 | 取决于样品类型，一般在20S左右 |
电极类型 | 钨喷射电极 |
分析差距 | 4毫米 |
氩气流量 | 励磁流量约3.5L/min，待机流量约0.1L/min |
其他功能 | 真空、温度、软件自动控制压力、通讯监控 |
恒温 | 36℃ |
工业CMOS探测器 | CMOS是CCD的升级产品，是滨松公司专门为光谱仪的升级换代而开发的： CMOS比CCD具有更高的灵敏度和更快的响应速度； 线性度优于CMOS CCD； CMOS在紫外区具有较高的灵敏度，可以准确测定非金属元素和各种金属元素的含量。 |
集成气路模块 | 气路系统采用气路模块免维护设计，代替电磁阀和流量计，电极自吹扫功能，为励磁创造了良好的环境。 |
自动光路校准 | 光学系统自动扫描光谱，保证接收的正确性，避免扫峰的繁琐工作； 仪器自动识别特定谱线并与原始存储线进行比较，确定漂移位置，找出分析线当前的像素位置进行测量。 |
开放式消防站 | 开放式激励平台和灵活的样品架设计，满足客户对各种形状、尺寸样品的现场分析需求； 配合小样品夹具的使用，线材的最小分析可达3mm。 |
高性能光学系统 | 光学系统受激时产生的电弧火焰由透镜直接引入真空光室，实现直接光路，有效降低光路损耗； 测量结果准确，具有优良的重复性和长期稳定性。 |
高速数据采集 | 仪器采用高性能CMOS检测元件，具有每个CMOS独立的超高速数据采集和分析功能，并能自动监测和控制光室温度、氩气压力、光源、激发室等运行状态。实时模块。 |
喷射电极技术 | 采用国际先进的喷射电极技术，采用钨电极，在激发状态下，电极周围会形成氩气射流，使激发过程中激发点周围区域不会与外界空气接触，从而提高励磁精度 配备独特的氩气气路设计，大大减少了氩气的使用量，也降低了客户的成本。 |
插入式镜头 | 真空光学系统采用独特的入射窗和真空隔离，可在真空系统工作条件下运行。光学镜片采用插入式镜片结构，日常清洁维护方便快捷。 |
数字激发光源 | 数字激发光源采用国际最先进的等离子体激发光源，在氩气气氛中释放超稳定能量激发样品； 全数字激发脉冲，保证激发样品等离子体的超高分辨率和高稳定速率输出； 光源参数可任意调节，满足激发要求 各种材料。 |
以太网数据传输 | 计算机与光谱仪之间采用以太网卡和TCP/IP协议，避免电磁干扰和光纤老化。同时，电脑和打印机完全外置，方便升级更换 可远程监控仪器状态，多路控制系统控制监测所有仪器参数 |
预制工作曲线 | 备有不同材质、不同牌号的标准样品库，仪器出厂时已在工厂预制好工作曲线，方便安装调试，及时投入生产； 不同元素和材料对应的分析程序略有不同。励磁和测试参数出厂前已调整好，可根据分析程序自动选择最佳测试条件； |
